【R8-No.5】研究紹介：RFスパッタ成膜したガラス基板上InSb薄膜の高移動度化
琉球大学 工学部 工学科 電子情報通信コース・助教 岡田 竜弥
（E-mail：tokada@cs.u-ryukyu.ac.jp）
単結晶のInSbは78,000 cm2/Vsという高い電子移動度や0.17 eVという狭バンドギャップをもつIII-V族の化合物半導体で、その特徴を活かして高感度の磁気センサや赤外線検出器に応用されています。本研究室では、ガラス等の基板上にRFマグネトロンスパッタを用いて成膜したInSb薄膜に対して急速熱処理(Rapid Thermal Annealing : RTA)を施すことで高結晶性のInSb薄膜を形成する研究を行なっています。本稿ではその一部を紹介します。
Arガスを用いて成膜したキャップ膜/InSb膜の積層膜試料に対してRTAにより500℃の熱処理を行ない、Hall移動度を評価した結果を図1に示します。n型の特性を示し、RTAを施すことで電子のHall移動度が向上することが分かりました。また成膜に用いるガスをArからNeに変更し、キャップ膜は用いずRTAを行なった結果を図2に示します。Arで成膜した試料と比べ、高いHall移動度が得られることが分かりました。さらに高いHall移動度が得られる条件を探求しています。
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